12月19日消息，俄罗据报道，斯宣俄罗斯已公布自主开发EUV（极紫外光刻）光刻机的布自路线图，目标是研E宜更比ASML的光刻机更便宜、更容易制造。光刻更便

据悉，机比俄罗斯的容易自主光刻机采用11.2nm的激光光源，而非ASML标准的制造13.5nm。这种波长将与现有的俄罗EUV设备不兼容，需要俄罗斯开发自己的斯宣光刻生态系统，这可能需要十年或更长时间。布自

包括电子设计自动化（EDA）工具也需要进行更新。研E宜更虽然现有EDA工具仍可完成逻辑合成、光刻更便布局和路由等基本步骤，机比但涉及曝光的容易关键制程，如光罩数据准备、光学邻近校正（OPC）和分辨率增强技术（RET），则需要重新校准或升级为适合11.2nm的新制程模型。

该项目计划由俄罗斯科学院微结构物理研究所的Nikolay Chkhalo领导，目的是制造性能具竞争力且具成本优势的EUV光刻机，以对抗ASML的设备。

Chkhalo 表示，11.2nm波长的分辨率提高了20%，可以提供更精细的细节，同时简化设计并降低光学元件的成本。

这种调整显著减少了光学元件的污染，延长了收集器和保护膜等关键部件的使用寿命。

俄罗斯的光刻机还可使用硅基光阻剂，预期在较短波长下将具备更出色的性能表现。 尽管该光刻机产量仅为ASML设备的37%，因为其光源功率仅3.6千瓦，但性能足以应付小规模芯片生产需求。

据报道，俄罗斯光刻机的开发工作将分为三个阶段，第一阶段将聚焦于基础研究、关键技术识别与初步元件测试。

第二阶段将制造每小时可处理60片200毫米晶圆的原型机，并整合至国内芯片生产线。

第三阶段的目标是打造一套可供工厂使用的系统，每小时可处理60片300毫米晶圆。

目前还不清楚其光刻机将支持哪些制程技术，路线图也未提到各阶段完成的时间表。